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電子半導體、太陽能產線廢氣處理系統
工藝介紹
Scheme  introduction

電子半導體產線工藝廢氣治理


1、PECVD工藝廢氣


PECVD設備尾氣主要包含硅烷SiH4及氨氣NH3等。


處理工藝:不銹鋼燃燒筒→不銹鋼硅烷燃燒洗滌塔-氨氣洗滌塔+離心風機


主要特點:硅烷去除率高,氨氣及其他水溶性氣體凈化率高,占地面積小,耐腐蝕,便于維修。


2.絲網印刷工藝廢氣


絲網印刷廢氣工藝主要涉及的主要設備印刷機和燒結爐,產生的廢氣主要是一些以脂類和醇類廢氣為主的有機廢氣及熱廢氣。


處理工藝:采用活性炭纖維吸附塔。


主要特點:設備占地面積小,耐腐蝕,便于維修,無二次污染,凈化效率較活性炭顆粒較高。


設備主要特點:洗滌塔采用酸/堿洗滌、水洗一體塔+活性炭吸附進行廢氣凈化處理,自動化控制,達標排放,占地面積少、控制操作簡單方便,處理效果佳、維護成本低。


干化等工藝產生的臭氣采用酸堿洗滌吸收、生物除臭、光催化氧化、活性炭吸附等工藝處理,達標排放。


太陽能電池片工藝廢氣治理


1、制絨工藝廢氣


在制絨工藝過程中,廢氣源主要為制絨機,廢氣種類因工藝不同而有區別,一般主要廢氣為:制絨氫氧化鈉NaOH、KOH廢氣比較多一點 ,多晶制絨氮氧化物NOX比較多一點,還有少量HF等廢氣。


處理工藝:

氮氧化物濃度較高的采用四級串聯高濃度酸霧凈化塔,添加氫氧化鈉、硫化鈉進行洗滌處理;氮氧化物濃度較低的采用兩級串聯酸霧凈化塔,添加氫氧化鈉進行洗滌處理。


主要特點:

凈化效率高,結構緊湊,耐腐蝕,耐老化性能好,自動化控制,操作簡單 ,廣泛應用于太陽能、電子半導體等行業。


2、擴散工藝廢氣、去磷硅玻璃、刻蝕工藝廢氣


擴散工藝涉及的設備主要是:擴散爐,其中酸性廢氣為鹽酸霧HCl及少量氯氣Cl2。去磷硅玻璃、刻蝕工藝涉及的主要設備為刻蝕機、硅片清洗機等,產生主要酸性廢氣為HF、CF4、SiF4等,采用酸霧凈化塔,添加氫氧化鈉進行洗滌處理。


主要特點:

凈化效率高,結構緊湊,耐腐蝕 ,耐老化性能好,廣泛應用于太陽能、電子半導體等行業。




工程案例
applicationcase



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